Nasza technologia

Korzystając z technologii cięcia nieniszczącego, płytki krzemowe są cięte równomiernie na dwa lub więcej kawałków, aby nadać im niższą znamionową temperaturę pracy (NOCT), zmniejszyć straty związane z cieniem i zwiększyć wydajność konwersji.

Technologia modułowa, która generuje energię elektryczną po obu stronach. Kiedy światło słoneczne uderza w moduł dwupłaszczyznowy, część światła jest odbijana przez otoczenie do tylnej części modułu, gdzie może zostać pochłonięta przez ogniwo w celu wytworzenia energii elektrycznej.

Interdigitated Back Contact (IBC) to technologia wykorzystująca płytki krzemowe typu N pokryte termiczną warstwą tlenku zarówno na przedniej, jak i tylnej powierzchni w celu zapewnienia konwersji energii w kontakcie wstecznym. Przednia strona ogniwa jest niezasłonięta i absorbuje maksymalną ilość światła słonecznego.

Tunnel Oxide Passivated Contact (TOPC) to struktura ogniwa, która umożliwia jednowymiarowy, wzdłużny transport nośników przy jednoczesnym zmniejszeniu stopnia zespolenia metali z podłożem krzemowym, co skutkuje większą ogólną produkcją energii.

ogniwa typu Hetero-junction with Intrinsic Thin-layer, w których złącze P-N składa się z dwóch różnych materiałów półprzewodnikowych. Jego zaletą jest obustronne wytwarzanie energii elektrycznej, niskotemperaturowy proces produkcji, wysokie napięcie obwodu otwartego i dobra charakterystyka temperaturowa.

Technologia Shingled generalnie tnie wafle krzemowe na więcej niż 5 części i wykorzystuje elastyczny klej przewodzący do łączenia w niskiej temperaturze, aby uzyskać bezproblemowe połączenie między komórkami, znacznie zwiększając moc wyjściową modułu.